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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
45
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
39
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3177
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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