RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
45
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2628
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link