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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
45
Autour de -105% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2648
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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