RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
45
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2944
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
JUHOR JHC1600U1108JY 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Inmos + 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link