RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
45
Autour de -80% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
25.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
25.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
19.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
4167
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link