RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
45
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
39
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2600
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link