RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
70
Autour de 36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
70
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
1934
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link