RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
52
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
52
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2169
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link