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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
66
Autour de 32% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
66
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
1473
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
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Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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