RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
49
Autour de 8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
49
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2413
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link