RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
3357
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link