RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
2243
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link