RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
3040
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link