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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de -77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
3899
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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