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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
47
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3025
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO M418039 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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