RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
47
Autour de -124% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
21
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2807
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link