RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
47
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
24
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3230
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link