RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
47
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
42
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2885
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link