RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
47
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
39
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2333
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link