RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3774
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Comparaison des RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link