RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3933
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link