RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
47
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3142
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT451U7AFR8C-RD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2800C11 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A4G83-18G9JH1C00 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link