RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
47
Autour de -31% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2090
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link