RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
47
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
1907
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link