RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
49
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
49
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2277
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link