RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
47
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
36
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
1778
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link