RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
47
Autour de -81% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2157
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link