RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
47
Autour de -147% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
19
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3314
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link