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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
47
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
47
41
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2016
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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