RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
58
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
58
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
1968
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link