RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
47
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
2969
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link