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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
67
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
67
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
1879
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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