RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
45
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2429
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link