RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
45
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2280
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link