RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
1426
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link