RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
45
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2791
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link