RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
45
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2690
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link