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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
47
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
47
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2640
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
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