RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
48
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
48
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2852
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Corsair CMX16GX3M4A1333C9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link