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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
45
Autour de -36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3048
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
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Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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