RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
45
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2773
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link