RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
45
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.2
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
22.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
17.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3938
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link