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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
45
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3195
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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