RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3683
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link