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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston XN205T-HYD2 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Différences
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3773
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
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Kingston XN205T-HYD2 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
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