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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
45
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
41
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2238
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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