RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
45
Autour de -18% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
8.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2206
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link