RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2806
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT102464BF1339.M16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link