RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3113
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link