RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
45
Autour de -125% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3404
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link